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多晶硅锭
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产品描述
品牌:西京科技
单位:西京电子科技有限公司
规格:Polysilicon Ignot
详细介绍

156×156多晶硅片技术参数

Technical parameters of 156×156 polysilicon film

 

类型

Type

晶体生长方式

Crystal growth method

热交换法

导电类型

Conductance type

P

性能

Capability

电阻率(Ω•cm)

Resistivity

1.0~3.0,3.0~6.0

氧含量(atoms/cm3

Oxygen

≤1.0×1018

碳含量(atoms/cm3

Carbon

≤8.0×1017

少子寿命(μs)

Life time

≥4

位错密度(/cm2

Dislocation density

≤3000

外形

Externality

硅片外形尺寸(mm)

Dimensions tolerance

156×156±0.5

硅片直径(mm)

Wafer diameter

165±0.5

硅片中心厚度(μm)

Center thickness

200±20

总厚度变化-ttv(μm)

Total thickness   variation

≤30

硅片表面粗糙度(μm)

Surface roughness

≤8

硅片相邻边垂直度(°)

Perpendicularity

90±0.3

硅片边长极差(mm)

Length difference

≤1.5

硅片弯曲度(μm)

Bow

≤40

外观

Appearance

边缘缺陷 edge defect quantity

深度≤0.5mm  edge defect depth≤0.5mm

长度≤1.0mm  edge defect length≤1.0mm

≤2

表面污点/斑点

Dirt

none

表面穿孔/裂纹

Hole/crack

none

目视翘曲

Obvious tactility

none


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